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Titelaufnahme

Titel
Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide : a theoretical investigation / Eva Rauls
AutorRauls, Eva In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
Erschienen2003
HochschulschriftPaderborn, Univ., Diss., 2003
SpracheEnglisch
DokumenttypDissertation
URNurn:nbn:de:hbz:466-20030101272 Persistent Identifier (URN)
Dateien
Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide [8.5 mb]
zusfasng [46.17 kb]
abstract [35.88 kb]
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