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Titelaufnahme

Titel
3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters / von Bettina Friedel
AutorFriedel, Bettina In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
Erschienen2007
HochschulschriftPaderborn, Univ., Diss., 2007
SpracheDeutsch
DokumenttypDissertation
URNurn:nbn:de:hbz:466-2007082416 Persistent Identifier (URN)
Dateien
3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis [9.69 mb]
zusfasng [47.47 kb]
abstract [47.44 kb]
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