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Titelaufnahme

Titel
Generierung von Defekten auf der Waferkante mittels Nanosekunden-Laserablation für die Analyse von Messsystemen
AutorHeß, Felix In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
PrüferLindner, Jörg In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen ; Lischka, Klaus In der Gemeinsamen Normdatei der DNB nachschlagen
Erschienen2012
HochschulschriftPaderborn, Univ., Diss., 2012
Anmerkung
Tag der Verteidigung: 13.09.2012
SpracheDeutsch ; Englisch
DokumenttypDissertation
URNurn:nbn:de:hbz:466:2-9797 Persistent Identifier (URN)
Dateien
Generierung von Defekten auf der Waferkante mittels Nanosekunden-Laserablation für die Analyse von Messsystemen [18.73 mb]
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Nachweis
Klassifikation
Zusammenfassung (Deutsch)

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Generierung von Defekten auf der Waferkante für die Analyse von Kanteninspektionsgeräten. Das Ziel war die Generierung von „standardisierten“ Defekten/Wafern, die eine Analyse/Bewertung von Kanteninspektionsgeräten ermöglicht. Im Vordergrund steht die Methode mittels Nanosekunden-Laserablation. Weitere Methoden und deren Bewertung sind am Ende der Arbeit aufgeführt.

Zusammenfassung (Englisch)

This work deals with the generation of defects on the wafer edge for the analysis of Wafer Edge Defect Detection Systems. The aim of this work was the creation of standardized defects/wafers allowing a detailed and reproducible analysis of Wafer Edge Defect Detection Systems. The main part of this dissertation focuses on the technique of ns-laser ablation. Alternative methods of defect generation on the wafer edge and their evaluation are discussed in later chapters of this work.