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Integrationstechniken für organische Dünnschichttransistoren in der flexiblen Elektronik / von Thorsten Meyers, M.Sc. ; Erster Gutachter: Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann, Zweiter Gutachter: Prof. Dr. rer. nat. Jörg K. N. Lindner. Paderborn, 2021
Inhalt
Kurzzusammenfassung
Eidesstattliche Erklärung
Danksagung
Inhaltsverzeichnis
Einleitung
Historie der Transistortechnologie
Zielsetzung
Gliederung
Grundlagen organischer Halbleiter
Elektronische Eigenschaften individueller Moleküle
Ladungstransport in organischen Festkörpern
Thieno[3,2-b]thiophen Derivate
Theorie der Dünnschichttransistoren
Aufbau
Funktionsweise und Betriebsbereiche
Metall-Halbleiter-Grenzfläche
Austrittsarbeit von realen metallischen Elektroden
Gate-Dielektrikum
Abweichungen vom idealen Transistorverhalten
Parameterextraktion
Grundlegende Methodiken
Dünnschichtparameter
Deposition und Strukturierung metallischer Elektroden
Deposition von organischen Halbleitern
Deposition unter Vakuumbedingungen
Lösungsmittelbasierte Depositionsmethoden
Dünnschichttransistoren und Schaltungen mit inoflex T3
Deposition und Charakterisierung von inoflex T3
Integrationsroutine für organische Dünnschichttransistoren
Dünnschichttransistoren mit C8-BTBT
Selbstjustierte Dünnschichttransistoren
Strukturierung des aktiven Transistorbereichs
Modifikation der Austrittsarbeit metallischer Elektroden
Foliensubstrate
Einfluss der Gate-Strukturhöhe
Schaltungen
Funktionsweise und Realisierung von Inverter-Strukturen
Statische Charakterisierung von Invertern
Dynamische Charakterisierung von Invertern
Komplementäre Inverter-Schaltungen auf Foliensubstraten
Dünnschichttransistoren und Schaltungen mit SX AR-PC-5060
Deposition und Charakterisierung des Polymers SX AR-PC-5060
Einzeltransistoren und statische Charakterisierung von Invertern
Planarisierung und dynamische Charakterisierung von Invertern
Weitere experimentelle Untersuchungen
Zusammenfassung
Ausblick
Literaturverzeichnis
Formelzeichen und Abkürzungen
Anhang
Ätzlösungen
Fototechnikparameter
Trockenätzprozess
Publikationen
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