TY  - THES
AB  - Flexible und transparente elektronische Schaltungen ermöglichen eine Integration von innovativen und kostengünstigen Produkten in einem breiten Anwendungsspektrum, z. B. von flexiblen und transparenten Displays für tragbare Elektronikprodukte bis hin zu RFID Funketiketten, entwickelt für Sensornetzwerke im Bereich des Gesundheitssektors. Hierbei sind Dünnschichttransistoren (TFTs) die Schlüsselelemente zur Steuerung des Stromflusses in den Bauelementen. Ferner erscheinen hybride Systeme, zum einen aus hochfrequenten Siliziumtransistoren für die Datenverarbeitung, zum anderen aus Dünnschichttransistoren zur Erhöhung der Interaktivität mit dem Nutzer, profitabel, da sie in Synergie die Vorteile beider Technologiezweige vereinen. Während dieser Arbeit wurden TFTs auf ZnO-Basis für die flexible und transparente Elektronik integriert und charakterisiert. Der Herstellungsprozess war auf kostengünstige Methoden, die eine Kompatibilität mit großflächigen flexiblen Substraten aufweisen, beschränkt. Aus diesem Grund wurden hauptsächlich lösungsmittelbasierende Verfahren verwendet. Für den aktiven Halbleiter wurden Präkursoren und Dispersionen, die ZnONanostrukturen enthalten, bewertet. Hierbei zeigten die Dispersionen neben ihrer besseren Kompatibilität mit den Integrationsprozessen eine höhere Leistungsfähigkeit und Beständigkeit. Als Gate-Dielektrikum wurden Poly(4-vinylphenol) sowie ein high-k Nanokompositlack eingesetzt. Die TFTs wurden sowohl im inverted staggered als auch im inverted coplanar Aufbau strukturiert. Einerseits weisen die inverted staggered Strukturen eine größere Kontaktfläche zwischen den Drain/Source Elektroden und der aktiven Halbeiterschicht und damit eine verbesserte Ladungsträgerinjektion auf.
AU  - Vidor, Fábio Fedrizzi
CY  - Paderborn
DA  - 2017
DO  - 10.17619/UNIPB/1-37
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 07.03.2017
N1  - Universität Paderborn, Univ., Dissertation, 2017
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2017
SP  - 1 Online-Ressource (XVI, 242 Seiten)
T2  - Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik
TI  - ZnO thin-film transistors for cost-efficient flexible electronics
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-27816
Y2  - 2026-01-21T16:16:44
ER  -