TY  - THES
AB  - Diese Arbeit behandelt das Wachstum von selbstorganisierten (In,Ga)As/GaAs Quantenpunkten (QDs) mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(100)-Substraten. Das InAs/GaAs-Materialsystem ist ausgereift, was die Herstellung von komplexen Heterostrukturen mit hoher Qualität ermöglicht. (In,Ga)As-QDs sind mögliche Halbleiterquantenemitter, welche auch räumlich positioniert gewachsen werden können. Das macht InAs/GaAs zu einem attraktiven Materialsystem für Anwendungen in der Quantenkommunikation.Zunächst wird das Wachstum von (In,Ga)AsAs QDs mit niedriger Dichte für Einzelpunktspektroskopie durch einen Indiumgradienten-Ansatz diskutiert. Dazu wird die Substratrotation während der InAs-Deposition gestoppt, wodurch ein In-Gradient auf der Oberfläche entsteht. Die Emissionswellenlängen der QDs sollen bei 900-1000 nm liegen damit Siliziumdetektoren genutzt werden können. Um die Emissionsenergie der QDs zu kontrollieren wird die Indiumflush-Technik angewandt oder InxGa1-xAs QDs hergestellt.Anschließend wird eine vereinfachte Gradientenmethode zum Wachstum von QD-Molekülen mit niedrigen Dichten verwendet, wobei der Indiumgradienten-Ansatz mit verspannungsinduzierter Nukleation kombiniert wird. Dabei wird auch der Einfluss der unteren Quantenpunktschicht auf die obere Quantenpunktschicht untersucht, indem die abgeschiedene InAs-Menge bei konstanter Barrierendicke verändert wird.Im letzten Teil wird eine Technologie behandelt, bei der positionierte QDs auf strukturierten Substraten gewachsen werden. Dazu werden Löcher mit einer Größe von wenigen Nanometern in das Substrat geätzt um als Nukleationsorte für QDs während des Überwachsens zu fungieren. Der Prozess wurde so optimiert, dass sich in jedem Loch ein einzelner QD bildet.
AU  - Sharma, Nand Lal
CY  - Paderborn
DA  - 2017
DO  - 10.17619/UNIPB/1-228
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 09.11.2017
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2017
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2017
SP  - 1 Online-Ressource (xx, 128 Seiten)
T2  - Department Physik
TI  - Molecular beam epitaxy of tailored (In,Ga)As/GaAs quantum dot heterostructures
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-29775
Y2  - 2026-01-20T06:52:54
ER  -