TY - THES AB - Heutige Bauelemente für Hochvolt-Anwendungen benötigen am Rand ihrer aktiven Gebiete aufwendige Randkonstruktionen, um im Sperrfall die notwendige Spannungsfestigkeit zu erreichen. Zu Beginn werden kurz die Probleme heutiger Randabschlusskonzepte diskutiert und mittels Simulation nachgestellt. Neben planare sind auch vertikale Randkonstruktionen (sog. Mesa- oder Trenchrandabschlüsse) unter der Verwendung von Grabenstrukturen denkbar. Das Ziel der Arbeit liegt in der Prozessentwicklung für die Generierung eines solchen vertikalen Randabschlusses. Aufgrund der Anforderung an Güte und Geometrie werden ausschließlich anisotrope nasschemische Ätzprozesse mit alkalischen Lösungen für die Strukturrealisierung herangezogen. Neben der Diskussion der theoretischen Grundlagen, gibt die detaillierte Prozessuntersuchung mit Hilfe von unmodifizierten und modifizierten Lösungen neue Einblicke in eine Thematik, die in den letzten 10 Jahren eine Stagnation im Forschungsdrang erfahren hat. Es werden analytische Messmethoden zur Charakterisierung, Quantifizierung und kontinuierlichen Prozessüberwachung der Lösungseigenschaften kurz diskutiert. Eine detaillierte theoretische und praktische Beschreibung der Oberflächenspannung einer Prozesslösung mit Hilfe der neuartigen Blasendruckmethode erfolgt im Anschluss. Die Ergebnisse zeigen eine direkte Abhängigkeit der orientierungsabhängigen Ätzeigenschaften von der Oberflächenspannung. Nach Optimierung der Prozessbedingungen für die Strukturgenerierung werden weitere Einzelprozesse, wie z.B. die vollständige planare Verfüllung der erzeugten Gräben mit geeigneten spannungsfesten Materialien, untersucht. Hierfür werden nicht nur die unterschiedlichen Materialeigenschaften diskutiert, sondern auch die entsprechenden Verfüllkonzepte auf ihre Machbarkeit und Güte bewertet. AU - Brockmeier, Andre CY - Paderborn DA - 2018 DO - 10.17619/UNIPB/1-257 DP - Universität Paderborn LA - ger N1 - Tag der Verteidigung: 09.01.2018 N1 - Universität Paderborn, Dissertation, 2018 PB - Veröffentlichungen der Universität PY - 2018 SP - 1 Online-Ressource (VI, 337 Seiten) T2 - Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik TI - Herstellung von Vertikalrandstrukturen für Leistungshalbleiterbauelemente mit Hilfe von nasschemischen anisotropen Siliziumätzprozessen UR - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-30071 Y2 - 2026-02-05T04:05:43 ER -