TY  - THES
AB  - Die Schattenmasken-gestützte Molekularstrahlepitaxie wurde auf GaAs (100) in Volmer Weber-Form angewandt, um die ortsselektive III-V Halbleiternanostrukturen herzustellen. Bei der ortsselektive Epitaxie-Prozedur wurde Gallium lokal durch die Öffnungen in der Schattenmaske abgeschieden. Indem die Größe der Öffnung mit der mittleren Entfernungscharakteristik für eine selbstorganisierte Nanotröpfchenformation vergleichbar gemacht wurde, war es möglich, ein einzelnes Nanotröpfchen mit hoher Genauigkeit zu positionieren. Im ersten Teil der Arbeit wurde ein Schattenmaskendesign entwickelt. Die Schattenmaske wurde prozesstechnisch auf Silizium-Basis realisiert. Die Kompatibilität mit dem Molekularstrahlepitaxie-Verfahren wurde nachgewiesen. Zusätzlich wurde eine unschädliche in-situ Reinigung der Maskenbehandlung festgestellt. Im zweiten Teil der Arbeit wurde die Tröpfchenepitaxie-Methode für Schattenmasken-gestützte Epitaxie angepasst. Jeder Tröpfchenepitaxie-Schritt wurde optimiert und mit Rasterelektronenmikroskopie und Rasterkraftmikroskopie analysiert. Die Hauptarbeit bezieht sich auf die Optimierung der Gallium-Abscheidungsparameter. Die Substrattemperatur, die Gallium Abscheidungsrate sowie die Gallium-Menge wurden ausgewählt, um ein einzelnes Nanotröpfchen pro Öffnung zu erhalten.
AU  - Zolatanosha, Viktoryia
CY  - Paderborn
DA  - 2020
DO  - 10.17619/UNIPB/1-979
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 08.06.2020
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2020
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2020
SP  - 1 Online-Ressource (xvii, 169 Seiten)
T2  - Fakultät für Naturwissenschaften
TI  - Site-controlled nanostructure fabrication by selective area epitaxy through shadow masks
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-37372
Y2  - 2024-12-22T03:16:23
ER  -