TY - THES AB - Die Gruppe III-Nitride sind ein wichtiges Halbleitermaterialsystem mit vielen Anwendungen in der Optoelektronik und in der Leistungselektronik. Insbesondere für optoelektronische Anwendungen ist die metastabile Zinkblende-Phase eine vielversprechende Alternative zu der üblicherweise verwendeten Wurtzit-Phase, da hier Polarisationsfelder, die die Rekombinationseffizienz beeinträchtigen, nicht vorhanden sind. Die Herstellung der meisten Bauelemente erfordert eine präzise Kontrolle der p- und n-Typ-Dotierung. Für die n-Typ-Dotierung wird üblicherweise Si verwendet, das jedoch bei hohen Dotierungskonzentrationen für eine Zugverspannung sorgt und dadurch die Kristallqualität verschlechtert. Kürzlich wurde berichtet, dass Ge eine geeignete Alternative zu Si für die n-Typ-Dotierung von Nitriden in der Wurtzitstruktur ist. Hohe Donatorkonzentrationen konnten erreicht werden, ohne die strukturelle Qualität der Schichten zu beeinträchtigen. In dieser Arbeit wird Ge als Donator für GaN und Al[]Ga[1]N bis zu = 0,6 in der Zinkblende-Struktur untersucht. Es wurden Ge- und Si dotierte GaN-Schichten mit Dotierkonzentrationen über mehrere Größenordnungen hergestellt und hinsichtlich ihrer optischen, strukturellen und elektrischen Eigenschaften untersucht. Die maximal erreichbaren freien Elektronenkonzentrationen liegen bei 3.710^20 cm^3 bzw. 4.310^20 cm^3 für die Ge- und Si-Dotierung. AU - Deppe, Michael CY - Paderborn DA - 2020 DO - 10.17619/UNIPB/1-1029 DP - Universität Paderborn LA - eng N1 - Tag der Verteidigung: 03.09.2020 N1 - Universität Paderborn, Dissertation, 2020 PB - Veröffentlichungen der Universität PY - 2020 SP - 1 Online-Ressource (151 Seiten) T2 - Department Physik TI - Germanium doping of aluminum-containing cubic group III-nitride heterostructures UR - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-37877 Y2 - 2025-02-16T22:44:55 ER -