TY - THES AB - Die flexible Elektronik stellt eine Möglichkeit dar, elektronische Schaltungen und Sensorsysteme kostengünstig herzustellen. Dünnschichttransistoren (TFTs) sind hierfür ein Schlüsselelement, da sie den Strom in elektronischen Systemen steuern. In dieser Arbeit werden organische TFTs für die flexible Elektronik entwickelt und optimiert. Die Integration fokussiert sich auf Prozesse niedriger Temperatur. Als Halbleitermaterialien werden neben den thermisch aufdampfbaren Materialien DNTT und DTT das lösliche Material C8-BTBT verwendet. Die Strukturierung der Elektroden erfolgt mittels konventioneller fotolithographischer Prozesse. Für das Gate-Dielektrikum werden lösungsmittelbasierte Materialsysteme verwendet und bezüglich ihrer physikalischen und elektrischen Eigenschaften charakterisiert.Da die verwendeten Materialsysteme sensitiv gegenüber alkalischen Lösungen sind, wird erstmals eine Herstellungsroutine entwickelt, die eine reproduzierbare Leistungsfähigkeit der integrierten TFTs gewährleistet. Ein Transfer dieser Routine erfolgt auf flexible Substrate. Erstmalig wird ein Selbstjustierungsprozess für die Kontaktelektroden organischer TFTs unter Verwendung eines Nanokomposits als Dielektrikum entwickelt. Eine Adaption der Integrationsroutine wird durchgeführt, um die Strukturierung der Isolationsschicht ohne weitere Fotomaske zu ermöglichen. Ferner erfolgt eine Analyse bezüglich des Einflusses der Substrattopologie auf die Leistungsfähigkeit der integrierten TFTs.Weiterhin werden Inverter auf Basis organischer TFTs hergestellt und bezüglich ihrer statischen und dynamischen Eigenschaften charakterisiert. Abschließend wird die Entwicklung eines komplementären Designs unter Verwendung eines anorganischen n-Kanal sowie eines organischen p-Kanal TFTs evaluiert. AU - Meyers, Thorsten CY - Paderborn DA - 2021 DO - 10.17619/UNIPB/1-1105 DP - Universität Paderborn LA - ger N1 - Tag der Verteidigung: 16.02.2021 N1 - Universität Paderborn, Dissertation, 2021 PB - Veröffentlichungen der Universität PY - 2021 SP - 1 Online-Ressource (XI, 220 Seiten) T2 - Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik TI - Integrationstechniken für organische Dünnschichttransistoren in der flexiblen Elektronik UR - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-38641 Y2 - 2026-02-08T10:07:47 ER -