TY  - THES
AB  - Heteroepitaktisches Wachstum ist für die Herstellung moderner Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung, stellt jedoch eine große Herausforderung dar, da eine Verspannungen in der Epitaxieschicht auftritt. Diese kann durch die Einführung von Kristalldefekten abgebaut werden, was die Leistung von Bauelemente beeinträchtigt. Kürzlich wurde die „Remote-Epitaxie“ auf mit Graphen bedeckten Substraten vorgeschlagen, um einen anderen Entspannungsweg zu bieten. In dieser Arbeit wird zum ersten Mal die „Remote-Heteroepitaxie“ von In(x)Ga(1-x)As-Filmen (0 < x 0.5) auf mit Graphen bedeckten GaAs-(001)-Substraten durch Molekularstrahlepitaxie untersucht.Zunächst wird der Nasstransfer von CVD-Monolagen-Graphen auf frisch geätzten GaAs-(001) orientierten Substraten untersucht. XPS-Messungen zeigen, dass das GaAs-Substrat während des Transfers oxidiert. Eine sorgfältig optimierte, kurze und milde H+Ar-Plasmabehandlung, gefolgt von einem Ausheizschritt im UHV, entfernt die Oxidschicht, während das Graphen weitgehend intakt bleibt. In(x)Ga(1-x)As Molekularstrahlepitaxie wurde auf den mit Graphen bedeckten GaAs-(001)-Substraten durchgeführt. Detaillierte Untersuchungen zur In(x)Ga(1-x)As Keimbildung (0 < x 1.0) zeigen ein remote-epitaktisches Inselwachstum auf dem mit Graphen bedeckten GaAs-Substrat. 200 nm dicke In(x)Ga(1-x)As-Filme (0 < x 0.5) werden in einem einstufigen und einem zweistufigen Verfahren auf mit Graphen bedeckten GaAs-Substraten gewachsen. HRXRD-Messungen zeigen ein kristallines Wachstum auf großen Flächen in gleicher Kristallorientierung wie das Substrat. Detaillierte Untersuchungen zur Verspannungsrelaxation der Schichten werden gezeigt.
AU  - Henksmeier, Tobias
CY  - Paderborn
DA  - 2021
DO  - 10.17619/UNIPB/1-1268
DP  - Universität Paderborn
LA  - ger
N1  - Tag der Verteidigung: 17.12.2021
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2021
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2021
SP  - 1 Online-Ressource (VI, 156 Seiten)
T2  - Department Physik
TI  - Remote Heteroepitaxy of In(x)Ga(1-x)As on graphene covered GaAs-(001) substrates
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-40277
Y2  - 2025-01-13T05:48:38
ER  -