TY - THES AB - Verspannungsgetriebene selbstorganisierte InAs-QDs auf GaAs(100), die über den Stranski-Krastonov-Wachstumsmodus hergestellt wurden, sind wohl das am häufigsten untersuchte QD-System. Für verschiedene Anwendungen werden QD-Dichten in der Größenordnung von 1 pro QD m2 benötigt. Allerdings ist die Herstellung solch geringer Dichten aufgrund der extrem starken Abhängigkeit von der In-Menge recht anspruchsvoll. In dieser Arbeit werden selbstorganisierte InAs-Quantenpunkte (QDs) und Quantenpunktmoleküle (QDMs) durch Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(100)-Substrat aufgewachsen. Im ersten Teil werden InAs-QDs mit niedriger Dichte unter Verwendung von zwei In-Deposition-Verfahren hergestellt: Der In-Gradient-Ansatz und der homogene In-Deposition-Ansatz mit anschließendem Tempern, um Dichten in der Größenordnung von 1x 107-108 QDs cm-2 zu erreichen. Beim In-Gradienten-Ansatz wird die Substratrotation während der In-Abscheidung gestoppt, entweder für die vollständige Abscheidung (Vollgradient) oder für die Hälfte der Abscheidungszeit (Halbgradient). Ein Vergleich der beiden In-Deposition-Schemata wurde durchgeführt, um ein besseres Verständnis der Region geringer Flächendichte zu erlangen. Beim Full-Gradienten erstreckt sich der Niedrig-Dichte-Bereich nur über einen kleinen Bereich entlang des Gradienten, was im besten Fall weniger als 10 % eines vollen 3"-Wafers entspricht, während er bei einem Half-Gradienten auf 15 % ansteigt Im Vergleich dazu konnten wir für den homogenen Abscheidungsansatz für mehr als 70 % eines 3"-Wafers eine QD-Dichte zwischen 1107 und 1108 QDs cm-2 erreichen. Dieser Prozess ist jedoch aufgrund der hohen Empfindlichkeit gegenüber der Substrattemperatur und der In-Menge weniger reproduzierbar. Die verschiedenen QD-Wachstumsparameter wie QD-Wachstumstemperatur, AU - Verma, Akshay Kumar CY - Paderborn DA - 2022 DO - 10.17619/UNIPB/1-1354 DP - Universität Paderborn LA - eng N1 - Tag der Verteidigung: 23.02.2022 N1 - Universität Paderborn, Dissertation, 2022 PB - Veröffentlichungen der Universität PY - 2022 SP - 1 Online-Ressource (xviii, 160 Seiten) T2 - Department Physik TI - Molecular beam epitaxy of InAs Quantum Dot and Quantum Dot molecule heterostructures UR - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-41158 Y2 - 2025-02-15T00:35:47 ER -