TY  - THES
AB  - Die Remote Epitaxie ist eine relativ neue Methode, die mehrere Vorteile bietet. Unteranderem ermöglicht sie den Einfluss von Gitterfehlpassungen zu reduzieren und die Möglichkeit, Epitaxieschichten von dem Substrat abzulösen. Diese wissenschaftliche Arbeit untersucht die Möglichkeit dieses neue Verfahren für das Wachstum von metastabilen kubischem Galliumnitrid anzuwenden. Hierzu wird ein mit Graphen bedecktes 3C-SiC/Si (001) Pseudosubstrat verwendet. Die ersten Versuche die Remote Epitaxie anzuwenden resultierten in polykristallinen und hexagonalen Schichten. Die Optimierung der Substrattemperatur und die Einführung einer zusätzlichen kubischen Aluminiumnitrid-Pufferschicht ermöglichten eine Verbesserung der Schichtqualität.Die hergestellten Proben wurden mit verschiedenen Charakteriesrungsmethoden, wie zum Beispiel hochauflösender Röntgendiffraktometrie und Rasterelektronenmikroskopie analysiert und bewertet. Diese Techniken liefern wertvolle Erkenntnisse über die Auswirkungen der optimierten Wachstumsparameter und die Qualität der kubischen GaN-Schicht. Hochauflösende Röntgendiffraktionsmessungen bestätigten, dass der Anteil hexagonaler Einschlüsse von 80% auf 23% reduziert werden konnte. Die aktuelle Schichtqualität wird jedoch durch das verwendete Transfergraphen begrenzt. Diese Art von Graphen besteht aus vielen kleinen Domänen und weist aufgrund des Transferprozesses weitere Defekte auf. Elektronenrückstreudiffraktometrie Messungen deuten darauf hin, dass der Großteil der hexagonalen Einschlüsse um diese Defekte herum lokalisiert ist. Dies legt nahe, dass durch die Verwendung eines anderen Herstellungsverfahrens für das Graphen weitere Verbesserungen erzielt, werden können.
AU  - Littmann, Mario
CY  - Paderborn
DA  - 2024
DO  - 10.17619/UNIPB/1-2020
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 07.05.2024
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2024
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2024
SP  - 1 Online-Ressource (121 Seiten)
T2  - Department Physik
TI  - Remote epitaxy of cubic gallium nitride on graphene-covered 3C-SiC substrates
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-52231
Y2  - 2025-04-24T19:30:14
ER  -