TY  - THES
AB  - InP und AlInP werden aufgrund ihrer herausragenden elektronischen und optischen Eigenschaften in zahlreichen Anwendungen genutzt. Insbesondere zeigen beide Materialien großes Potenzial für die photoelektrochemische Wasserspaltung. Die Effizienz sowie die Haltbarkeit der Elektroden werden jedoch durch Korrosion stark beeinträchtigt. Um die Leistungsfähigkeit der Systeme zu verbessern, ist es notwendig, nicht nur den Oxidationsprozess der Oberflächen, sondern auch den Mechanismus der Wasserspaltung an der Grenzfläche zwischen Wasser und Halbleiter zu verstehen. In dieser Arbeit werden die elektronischen Eigenschaften oxidierter Al/In-reicher AlInP- und InP-Oberflächen mithilfe von Dichtefunktionaltheorie (DFT)-Berechnungen untersucht. Die Sauerstoff- und Wasserstoffentwicklungsreaktionen für die Wasserspaltung auf der In-reichen InP-Oberfläche werden analysiert. Die absoluten Positionen der Leitungs- und Valenzbänder werden in Bezug auf die Redoxpotentiale der Wasserspaltung unter Verwendung hybrider Funktionale berechnet. Für die P-reiche InP-Oberfläche werden H-Defekte als mögliche Ursache der experimentell beobachteten starken Bandverbiegung untersucht. Zudem wird berechnet, wie H-Vakanzen mit Wassermolekülen wechselwirken. Schließlich werden Reflexionsanisotropiespektren (RAS) für verschiedene AlInP(001)-Oberflächen durch Lösung der Bethe-Salpeter-Gleichung berechnet. Die Ursprünge der spektralen Signaturen werden analysiert und spezifischen Oberflächenmotiven zugeordnet.
AU  - Ruiz Alvarado, Isaac Azahel
CY  - Paderborn
DO  - 10.17619/UNIPB/1-2262
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 09.04.2025
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2025
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2025
SP  - 1 Online-Ressource (134 Seiten) Illustrationen, Diagramme
T2  - Department Physik
TI  - III-V surface physics for photoelectrochemical water splitting
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-54742
Y2  - 2026-01-16T23:17:11
ER  -