TY  - THES
AB  - Obwohl das InAs/GaAs(111)A-System im Vergleich zu den umfassend untersuchtenGaAs(001)-Substraten aufgrund seiner höheren Symmetrie und der höheren Mobilitätvon In-Adatomen vielversprechende Perspektiven für die Herstellung neuartigeroptoelektronischer Nanostrukturen bietet, ist es aufgrund seiner hohen Neigung zurDefektbildung an der Heterogrenzfläche bislang weitgehend unerforscht geblieben .In diesem Zusammenhang wird eine Technik zur Defektminimierung untersucht, dieals Nano-Heteroepitaxie bezeichnet wird und die Substratnachgiebigkeit vonSubstraten mit nanoskaligen Abmessungen ausnutzt, um die durchGitterfehlanpassung hervorgerufene Spannung aufzunehmen. Analytische Modelleauf Grundlage dieses Ansatzes weisen darauf hin, dass eine Reduzierung derlateralen Substratabmessungen auf unter 30 nm erforderlich ist, um die 7%igeGitterfehlanpassung des InAs-GaAs-Systems auszugleichen. Zu diesem Zweckwerden die selbstorganisierte Bottom-up-Strukturierung mittelsNanosphärenlithographie (NSL) in Kombination mit dem Top-down-Verfahren desreaktiven Ionenätzens eingesetzt, um nano-pfeilerstrukturierte GaAs(111)A-Substratemit mittleren Durchmessern von 28 ± 5 bzw. 31 ± 5 nm, mittleren Höhen von 69 ± 8bzw. 103 ± 3 nm sowie mittleren Pitches von 129 ± 6 bzw. 228 ± 8 nm herzustellen,abhängig von den durch NSL erzeugten Strukturen und den Waferabmessungen.Anschließend wird das molekularstrahlepitaktische (MBE-)Wachstum von InAs aufderart nano-pfeilerstrukturierten Substraten durchgeführt, wobei die nominellabgeschiedene Schichtdicke, die Wachstumstemperatur und die Wachstumsrate inden Bereichen von 2 - 5 nm, 150–410 °C bzw. 0,011–0,11 nm/s variiert werden.Darüber hinaus wird eine Vorlage für die selektive Bereichs-Heteroepitaxieentwickelt, um das InAs-Heterowachstum während des MBE-Prozessesausschließlich auf die Spitzen der GaAs(111)A-Pfeiler zu beschränken; hierbeierfolgen die Wachstumsbedingungen in den Bereichen 300 – 450 °C, 0,011 nm/s und2 nm abgeschiedene Dicke.Die resultierenden Nanostrukturen werden mittels (Raster-)Transmissionselektronenmikroskopie ((R)TEM) untersucht, um Gitterdefekte zucharakterisieren, die Modellierung von Mechanismen der Gitterspannungsrelaxationdurch molekularstatische Simulationen zu unterstützen und diejenigenProzessbedingungen zu identifizieren, die defektfreie InAs-Inseln auf GaAs(111)A-Nanopfeilern ermöglichen.
AU  - Kunnathully Sathees Kumar, Vinay
CY  - Paderborn
DO  - 10.17619/UNIPB/1-2628
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 17.06.2026
N1  - Universität Paderborn, Dissertation, 2026
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2026
SP  - 1 Online-Ressource (ii, 205 Seiten) : Diagramme, Illustrationen
T2  - Department Physik
TI  - InAs heteroepitaxy on nanopatterned GaAs(111)A surfaces
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-58655
Y2  - 2026-06-29T12:12:39
ER  -