Mantei, Dirk: Polarisationsabhängige Zustandskontrolle einzelner Halbleiter-Quantenpunkte. 2014
Inhalt
- Einleitung
- Grundlagen
- Begriffsbestimmung
- Herstellungsverfahren für Quantenpunkte
- Selbstorganisiertes Wachstum und strukturelle Eigenschaften
- Elektronische und exzitonische Eigenschaften
- Einzel-Quantenpunkt Schottky-Dioden
- Messmethoden
- Zwei- und Drei-Niveau-Systeme
- Entwicklung eines Zwei-Niveau-Systems bei externer Anregung
- Rabi-Oszillationen
- Dichtematrix und optische Bloch-Gleichungen
- Bloch-Vektor und Bloch-Kugel
- Drei-Niveau-System
- Numerische Simulation
- Polarisation elektromagnetischer Wellen
- Feinstrukturaufspaltung des Exziton-Grundzustandes
- Experimenteller Aufbau
- Probendesign
- Optische Anregung
- Strahlabschwächung
- Leistungsregelung
- Doppelpuls-Erzeugung
- Polarisationssteuerung
- Tieftemperatur-Probenstab
- Detektion der Photolumineszenz
- Vorspannung und Photostrom-Messung
- Geräteansteuerung und Messdatenaufnahme
- Gesamter experimenteller Aufbau
- Charakterisierung einzelner Quantenpunkte
- Elektrische Eigenschaften der Schottky-Diode
- Spannungsabhängige Photolumineszenz
- Polarisationsabhängige Photostrom-Spektroskopie
- Doppelpuls-Experimente
- Übertragung eines Polarisationszustandes
- Rekonstruktion unbekannter linearer Polarisationen
- Rekonstruktion unbekannter beliebiger Polarisationen
- Polarisationsbasierte robuste Besetzungsinversion
- Rabi-Oszillationen
- Robuste Präparation einer Besetzungsinversion
- Adiabatisch gedrehte Polarisation
- Polarisationsbasierte Absorptionskontrolle
- Fazit und Ausblick
- Eigenschaften der vermessenen Quantenpunkte
- Spezifikationen der verwendeten Komponenten
- Erläuterungen zu den verwendeten Quellen
- Literaturverzeichnis
- Symbole und Abkürzungen