Mantei, Dirk: Polarisationsabhängige Zustandskontrolle einzelner Halbleiter-Quantenpunkte. 2014
Inhalt
Einleitung
Grundlagen
Begriffsbestimmung
Herstellungsverfahren für Quantenpunkte
Selbstorganisiertes Wachstum und strukturelle Eigenschaften
Elektronische und exzitonische Eigenschaften
Einzel-Quantenpunkt Schottky-Dioden
Messmethoden
Zwei- und Drei-Niveau-Systeme
Entwicklung eines Zwei-Niveau-Systems bei externer Anregung
Rabi-Oszillationen
Dichtematrix und optische Bloch-Gleichungen
Bloch-Vektor und Bloch-Kugel
Drei-Niveau-System
Numerische Simulation
Polarisation elektromagnetischer Wellen
Feinstrukturaufspaltung des Exziton-Grundzustandes
Experimenteller Aufbau
Probendesign
Optische Anregung
Strahlabschwächung
Leistungsregelung
Doppelpuls-Erzeugung
Polarisationssteuerung
Tieftemperatur-Probenstab
Detektion der Photolumineszenz
Vorspannung und Photostrom-Messung
Geräteansteuerung und Messdatenaufnahme
Gesamter experimenteller Aufbau
Charakterisierung einzelner Quantenpunkte
Elektrische Eigenschaften der Schottky-Diode
Spannungsabhängige Photolumineszenz
Polarisationsabhängige Photostrom-Spektroskopie
Doppelpuls-Experimente
Übertragung eines Polarisationszustandes
Rekonstruktion unbekannter linearer Polarisationen
Rekonstruktion unbekannter beliebiger Polarisationen
Polarisationsbasierte robuste Besetzungsinversion
Rabi-Oszillationen
Robuste Präparation einer Besetzungsinversion
Adiabatisch gedrehte Polarisation
Polarisationsbasierte Absorptionskontrolle
Fazit und Ausblick
Eigenschaften der vermessenen Quantenpunkte
Spezifikationen der verwendeten Komponenten
Erläuterungen zu den verwendeten Quellen
Literaturverzeichnis
Symbole und Abkürzungen