Lange, Björn: Limitierungen der p-Dotierbarkeit von Galliumnitrid : eine Defektstudie von GaN:Mg auf Basis der Dichtefunktionaltheorie. 2012
Inhalt
- Motivation
- Zusammenfassende Kapitelübersicht
- Mathematische Vorbetrachtungen
- Dichtefunktionaltheorie - Eine Einführung
- Dichtefunktionaltheorie für kristalline Systeme
- Der Impulsraum-Formalismus
- Die Methode der Pseudopotentiale
- Die Näherung der unveränderlichen Ionen
- Das Konzept der Pseudopotentiale
- Die Projector Augmented Wave (PAW) Methode
- LCAO Initialisierung
- Bildungsenergien von Defekten
- Berechnung der Defektkonzentration im thermischen Gleichgewicht
- Quantitativ optimierte Atomorbitale — Quamols
- Atomzentrierte Orbitalfunktionen
- Ein quantitatives Mass für Basisqualität: Die Spillage
- Periodische Systeme
- Algorithmus
- Ausgewählte Beispiele
- Minimale versus erweiterte Basis - Stickstoffdimer
- Kristalle - Silizium
- Wahl der Filterfaktoren - Aluminium
- Transferabilität
- Lokalisierung und Tight-Binding - Ein Ausblick
- Zusammenfassung und Ausblick
- Ableitung theoretischer Grenzen in der p-Dotierbarkeit von GaN:Mg
- Einleitung
- Kristallwachstum mittels MOVPE — Die experimentellen Randbedingungen
- Den Inversionsdomänengrenzen auf der Spur
- Magnesiumnitrid in der Antibixbyitstruktur
- Bestimmung der Konvergenzparameter
- Intrinsische Punktdefekte
- Wasserstoffdefekte und Defektkomplexe
- Mg3N2 Einschlüsse in GaN
- Thermische Austreibung
- Zusammenfassung
- Hohe Mg-Akzeptorkonzentration: Gratwanderung zwischen Kompensation und Phasentrennung
- Zusammenfassung
- Mg3N2 in der idealen Antibixbyitestruktur
- Effektivmassenberechnung
- Pulay Kräfte
- Variation der inversen Überlappmatrix
- Spline-Interpolation
- Spline-Fitten