Lange, Björn: Limitierungen der p-Dotierbarkeit von Galliumnitrid : eine Defektstudie von GaN:Mg auf Basis der Dichtefunktionaltheorie. 2012
Content
Motivation
Zusammenfassende Kapitelübersicht
Mathematische Vorbetrachtungen
Dichtefunktionaltheorie - Eine Einführung
Dichtefunktionaltheorie für kristalline Systeme
Der Impulsraum-Formalismus
Die Methode der Pseudopotentiale
Die Näherung der unveränderlichen Ionen
Das Konzept der Pseudopotentiale
Die Projector Augmented Wave (PAW) Methode
LCAO Initialisierung
Bildungsenergien von Defekten
Berechnung der Defektkonzentration im thermischen Gleichgewicht
Quantitativ optimierte Atomorbitale — Quamols
Atomzentrierte Orbitalfunktionen
Ein quantitatives Mass für Basisqualität: Die Spillage
Periodische Systeme
Algorithmus
Ausgewählte Beispiele
Minimale versus erweiterte Basis - Stickstoffdimer
Kristalle - Silizium
Wahl der Filterfaktoren - Aluminium
Transferabilität
Lokalisierung und Tight-Binding - Ein Ausblick
Zusammenfassung und Ausblick
Ableitung theoretischer Grenzen in der p-Dotierbarkeit von GaN:Mg
Einleitung
Kristallwachstum mittels MOVPE — Die experimentellen Randbedingungen
Den Inversionsdomänengrenzen auf der Spur
Magnesiumnitrid in der Antibixbyitstruktur
Bestimmung der Konvergenzparameter
Intrinsische Punktdefekte
Wasserstoffdefekte und Defektkomplexe
Mg3N2 Einschlüsse in GaN
Thermische Austreibung
Zusammenfassung
Hohe Mg-Akzeptorkonzentration: Gratwanderung zwischen Kompensation und Phasentrennung
Zusammenfassung
Mg3N2 in der idealen Antibixbyitestruktur
Effektivmassenberechnung
Pulay Kräfte
Variation der inversen Überlappmatrix
Spline-Interpolation
Spline-Fitten