TY  - THES
A3  - Lindner, Jörg K. N.
AB  - Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einfluss der Wachstumsbereichs-Reduzierung in einer Größenskala, die im Rahmen der Nanoheteroepitaxie zur Defektverringerung führen soll, zum ersten Mal im meta-stabilen kubischen GaN (c-GaN) untersucht. Dazu wird das c-GaN auf vorstrukturierten 3C-SiC/Si (001) Substraten mittels der Molekularstrahlepitaxie auf-gewachsen. Es wird gezeigt, dass die kubische Phase auf allen (001)-Oberflächen der SiC-Strukturen unabhängig von der Strukturform oder -größe nukleiert. Die Herstellung der quadratischen SiC-Strukturen erfolgt über die Elektronenstrahllithographie mit einem anschließenden Reaktiven Ionen Ätzprozess. Die Reduzierung der (001)-Wachstumsoberfläche von einer Seitenlänge von ~500 nm bis hin zu ~20 nm bewirkt eine erfolgreiche Reduzierung der
AU  - Kemper, Ricarda Maria
DA  - 2014
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 27.06.2014
N1  - Paderborn, Univ., Diss., 2014
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2014
T2  - Fakultät für Naturwissenschaften
TI  - Cubic GaN on Pre-Patterned 3C-SiC/Si (001) Substrates
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-14849
Y2  - 2025-04-21T08:52:33
ER  -