TY  - THES
A3  - As, Donat Josef
AB  - Als ein Vertreter der Gruppe-III Nitride kristallisiert GaN in der stabilen Wurzitstruktur oder in der metastabilen Zinkblendestruktur. Der Unterschied zwischen diesen Kristallstrukturen ist die Anwesenheit eines starken internen Polarisationsfeldes in der hexagonalen Phase entlang der polaren c-Achse, während dies in der kubischen Phase nicht der Fall ist. Das interne elektrische Feld kann unter Umständen die Leistung eines Bauelementes limitieren. Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von kubischen GaN/AlGaN Halbleitersystemen. Die Herstellung der Schichten erfolgt in einem Plasma unterstützten Molekularstrahl-Epitaxie Prozess. Da das zur Verfügung stehende 3C-SiC allerdings eine hohe elektrische Leitfähigkeit besitzt, werden für spezielle Bauelemente isolierende Pufferschichten hergestellt um das Substrat vom aktiven Bauelement elektrisch zu trennen. Hierzu werden zwei Ansätze untersucht. Zum einen wird eine Kohlenstoff-Dotierung der kubischen GaN Pufferschicht diskutiert. Zum anderen werden asymmetrische Quanten-Graben Strukturen, bestehend aus kubischen AlN/GaN Schichten, realisiert und untersucht. Zur Minimierung des Leckstromes durch das Transistor-„gate“ werden Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen als Ersatz für das Schottky-„gate“ hergestellt. Als Isolatoren werden SiO2 und Si3N4 untersucht. Es werden sowohl ein Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor ohne eine c-AlGaN Schicht, als auch c-AlGaN/GaN Heteroübergang-Feldeffekt-Transistoren vorgestellt. Der „gate“-Leckstrom konnte durch die Anwendung von Isolatoren unter dem „gate“-Kontakt eliminiert werden. Durch das Wachsen isolierender c-AlN/GaN:C Schichten konnte die parallele Leitung durch das Substrat ebenfalls minimiert werden. MIS-FETs mit „normally-on“ und "normally-off" Eigenschaften wurden realisiert.
AU  - Zado, Alexander
DA  - 2015
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 08.01.2015
N1  - Paderborn, Univ., Diss., 2015
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2015
T2  - Department Physik
TI  - Metal-insulator-semiconductor structures and AlGaN/GaN hetero-junctions based on cubic group-III nitrides
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-15372
Y2  - 2026-02-05T11:32:06
ER  -