TY  - THES
A3  - As, Donat Josef
A3  - Zrenner, Artur
AB  - In den kubischen Gruppe III-Nitriden existieren, verglichen mit der hexagonalen Phase, keine internen Polarisationsfelder. Daraus ergeben sich in niedrig dimensionalen Systemen wie Quantenpunkten (QP) entscheidende Vorteile. In dieser Arbeit wurden kubische GaN QP in kubischen AlN (k-AlN) Barrieren, mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie auf 3C-SiC/Si (001) Substraten hergestellt. Eine Analyse der Größen- und Dichteverteilungen der QP identifizierte den verspannungsinduzierten Stranski-Krastanov Prozess als Hauptmechanismus für die QP Formation. Mit Hilfe von Transmissions-Elektronen-Mikroskopie Aufnahmen konnten einzelne QP nachgewiesen und erste Einsichten in die strukturellen Eigenschaften überwachsener QP erzielt werden. Um die QP in Mikroresonatoren einzubetten, wurde ein Strukturierungsprozess, auf Basis von trocken chemischen Ätzprozessen, zur Herstellung von photonischen k-AlN Strukturen auf 3C-SiC entwickelt. Mikroscheiben wurden hergestellt und in Mikro-Photolumineszenz (-PL) Studien untersucht. Dabei konnten Flüstergalleriemoden beobachtet und mit berechneten Modenspektren analysiert werden. Leistungsabhängige -PL Experimente dienten zur Untersuchung von Lasereigenschaften der Mikroscheiben. Die hohe Qualität der QP ermöglichte die Messung von einzelnen QP Emissionslinien mit schmalen Linienbreiten von bis zu 500 eV. Weiterhin konnten kurze strahlende Lebensdauern im Bereich von 300 ps unabhängig von der Emissionsenergie gemessen werden. Korrelationsexperimente zeigten die Emission von einzelnen Photonen aus k-GaN QP mit einem g^(2)(0) von 0.25 bei Flüssigheliumtemperatur.
AU  - Bürger, Matthias
DA  - 2015
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 23.01.2015
N1  - Paderborn, Univ., Diss., 2014
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2015
T2  - Fakultät für Naturwissenschaften
TI  - Cubic GaN quantum dots: growth, characterization and integration in microcavities
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-15433
Y2  - 2025-04-24T19:30:51
ER  -