TY  - THES
AB  - Eine vereinheitlichte Theorie von k.p Störungtheorie und den Halbleiter-Bloch-Gleichung wird benutzt für die Simulation von Photoströmen in GaAs-Systemen. Der Fokus der Arbeit ist die theoretische Beschreibung und Analyse des sogenannten Shiftstroms, ein mikroskopischer Strom erzeugt durch die räumliche Bewegung von angeregten Ladungsträgern. Mit Hilfe bekannter Eigenschaften des Shiftstroms wird die Theorie am Beispiel eines GaAs Festkörperkristalls getestet. Der nicht störungstheoretische Ansatz der Halbleiter-Bloch-Gleichungen erlaubt die Analysis von linearen und nichtlinearen Eigenschaften des Shiftstroms.Der Einfluss von exzitionischen Effekten auf den Shiftstrom wird für einen dreidimensionalen Kristall untersucht. Der numerische Aufwand für die Einbindung der Coulombwechselwirkung wird häufig durch Näherungen reduziert, diese sind jedoch für den Shiftstrom nicht möglich. Die Einbindung der Coulombwechselwirkung bedarf der Entwicklung eines neuen, nicht uniformen Gitters. Sowohl die Konvergenzeigenschaften und die Genauigkeit des Gitters als auch die simulierten Shiftstrom-Resultate werden vorgestellt und diskutiert.Eine neue Methode wird vorgestellt, die k.p Störungstheorie mit Realraum-Wellenfunktionen aus Dichtefunktionaltheorie kombiniert. Diese ermöglicht die Simulation von Shiftströmen im Realraum mit atomarer Auflösung.
AU  - Podzimski, Reinold Ephraim
CY  - Paderborn
DA  - 2016
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 12.12.2016
N1  - Department Physik der Fakultät für Naturwissenschaften der Universität Paderborn, Univ., Dissertation, 2016
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2016
T2  - Department Physik
TI  - Shift currents in bulk GaAs and GaAs quantum wells analyzed by a combined approach of k.p perturbation theory and the semiconductor Bloch equations
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-27394
Y2  - 2026-02-07T14:50:51
ER  -