TY  - THES
A3  - As, Donat Josef
A3  - Zrenner, Artur
AB  - Im Rahmen meiner Dissertation habe ich mich mit Intersubband Übergängen in meta-stabilen kubischen AlN/GaN Übergittern beschäftigt. Hierzu habe ich Proben mittels plasmaassistierter Molekularstrahlepitaxie auf 3C-SiC Substraten hergestellt.Mit hochauflösender Röntgenbeugung und Berechnungen der Beugungsmuster war es möglich Schichtdicken mit einer Genauigkeit von einer Atomlage zu bestimmen. Außerdem wurde Transmissionselektronenmikroskopie verwendet um die strukturelle Qualität der Schichten zu untersuchen. Große Bereiche zeigen reproduzierbares Übergitterwachstum mit hoher kristalliner Qualität.Zur optischen Charakterisierung wurden Photolumineszenz- Kathodolumineszenz- und Fourier transform infrarot Spektroskopie verwendet. Resonantes Tunneln durch Al(Ga)N/GaN Doppelbarrieren, die auf frei stehenden 3C-SiC Substraten hergestellt wurden, konnte bei Raum- und Tieftemperatur gemessen werden.Die bisher längste und kürzeste publizierte Wellenlänge (62.5 um - 1.55 um) von intersubband Übergängen in kubischen in Al(Ga)N/GaN Übergittern wurde gemessen.Die Banddiskontinuität zwischen AlN und GaN in Übergitter Strukturen konnte zu (1.4 0.1) eV im Leitungsband und (0.5 0.1) eV im Valenzband bestimmt werden.Erste Absorptionsmessungen im infraroten Bereich konnten an asymmetrischen gekoppelten AlN/GaN mehrfach-Quantentrögen gemessen werden. Modellrechnungen zeigen die Möglichkeit, mit einer solchen Struktur den technologisch interessanten Bereich um 1.55 um zu erreichen.
AU  - Mietze, Christian
DA  - 2013
DP  - Universität Paderborn
LA  - eng
N1  - Tag der Verteidigung: 26.04.2013
N1  - Paderborn, Univ., Diss., 2013
PB  - Veröffentlichungen der Universität
PY  - 2013
T2  - Department Physik
TI  - Cubic AlN/GaN multi-quantum-wells for unipolar device applications
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:466:2-11856
Y2  - 2026-02-04T14:33:34
ER  -