Ultraschnelle elektrische Kontrolle optischer Eigenschaften und Übergänge einzelner Halbleiter-Quantenpunkte / Bearbeiter: M. Sc. Alex Widhalm. Paderborn, 2018
Inhalt
- Grundlagen zu Quantenpunkten
- Quantum confinement
- Energieniveaus der Quantenpunkte
- Optische Auswahlregeln
- Quantum Confined Stark Effekt
- Messmethoden
- Quantenpunkt-Photodioden
- Probendesign von nieder-kapazitiven QD-Photodioden
- Herstellung der Quantenpunkte mittels SK-Wachstum
- Wachstumsstruktur des Probenmaterials
- Herstellung von Quantenpunkt-Photodioden
- Gesamtkapazität der Photodiode
- Instrumentarisierung
- Übersicht des experimentellen Aufbaus
- Fabry-Perot Interferometer
- BiCMOS Schaltkreise
- Experimenteller Aufbau zu -PL Untersuchungen
- Experimenteller Aufbau zur resonanten Anregung des Quantenpunkts mittels Dauerstrich-Laser
- Photostrom-Detektion
- Instrumentarisierung für Experimente zur Phasenkontrolle
- Instrumentarisierung für Experimente zu RAP
- Systemintegration von SiGe-Chip und QD-Photodiode
- Theoretische Grundlagen zum TLS
- Zwei-Niveau System
- Zwei-Niveau System bei externer Anregung
- Rabi-Oszillationen
- Optische Bloch-Gleichungen
- Repräsentation von Zuständen auf der Bloch-Kugel
- OBE zur Simulation experimenteller Daten
- Allgemeine Eigenschaften untersuchter Quantenpunkte
- Spannungsabhängige Photolumineszenzmessungen
- Photostrommessungen an einzelnen Quantenpunkten
- Bestimmung der Koeffizienten des QCSE
- Linienbreite des Exziton Grundzustands
- Rabi-Oszillationen
- Experimente zur Quanteninterferenz
- Quanteninterferenz: Ramsey-Interferenzen
- Experimente zur Phasenkontrolle
- Theoretische Berechnungen zu experimentellen Daten
- Verschwindender Kontrast der Quanteninterferenz bei höherer Phasenverschiebung
- Experimente zum elektrisch induzierten RAP
- Zusammenfassung
- Anhang
- Abbildungsverzeichnis
- Tabellenverzeichnis