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Selective Area Growth of cubic Gallium Nitride by Molecular Beam Epitaxy
4 Results
4.1 Selective Area Growth
4.1.5 GaN growth on EBL patterned SiO2 on 3C-SiC
4.1.5.3 Aspect Ratio Limit
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Dissertation
Selective Area Growth of cubic Gallium Nitride by Molecular Beam Epitaxy / M. Sc. Falco Meier ; First reviewer: Prof. Dr. Donat J. As, Second reviewer: Prof. Dr. Jörg K. N. Lindner
Entstehung
Paderborn
2023
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