3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis
Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters2007

















Ein auf der Schallemissionsanalyse basierendes Verfahren zur Risserkennung in Umformprozessen
Paderborn : Elektrische Messtechnik, Univ. Paderborn, 2003

