Heß, Felix: Generierung von Defekten auf der Waferkante mittels Nanosekunden-Laserablation für die Analyse von Messsystemen. 2012
Inhalt
- Inhaltsverzeichnis
- Abkürzungen
- Abstract
- Kurzzusammenfassung
- Einleitung
- International Technology Roadmap for Semiconductors
- Die Waferkante
- Analyse von Messsystemen
- Grundlagen Laser
- Grundlagen der Laserablation
- Beschriften und Markieren
- Laserablation im Nanosekunden-Pulsbereich
- Absorption von Laserenergie in Silicium
- Materialabtrag
- Einflussfaktoren auf den Absorbtionskoeffizienten von Silicium
- Experimentelle Methoden
- Analysemethoden
- Kanteninspektionsgerät
- Weißlichtinterferometer
- Konfokalmikroskopie
- Elektronenmikroskop mit Augerspektrometer
- Statistische Auswertungsmethoden
- Vorversuche
- Laserkantenbeschrifter
- Diskussion der Ergebnisse
- Konfokalmessungen an den Laserpunkten der Vorversuche
- Tiefenmessungen
- Ablationstiefe in Abhängigkeit von der Pulszahl
- Einfluss der Kristallorientierung auf die Ablationstiefe
- Reflexionseigenschaften der Laserpunkte
- Tiefenabhängigkeit
- Einfluss der Beleuchtungsintensität
- Vergleich mit elektronenmikroskopischen Aufnahmen
- Laserpunktanomalien
- Analyse der Reproduzierbarkeit und Messgerätevergleich
- Verfahren zur Qualifikation von standardisierten Kantendefektwafern
- Weitere Methoden der Defektgenerierung
- Zusammenfassung und Ausblick
- Literaturverzeichnis