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Bibliographic Metadata

Title
Herstellung optischer SiON-Komponenten für Laserstrukturen auf Silizium
AuthorFrers, Torsten
ExaminerHilleringmann, Ulrich ; Zrenner, Artur
Published2015
Institutional NotePaderborn, Univ., Diss., 2015
Annotation
Tag der Verteidigung: 02.03.2015
Defended on2015-03-02
LanguageGerman
Document TypesDissertation (PhD)
URNurn:nbn:de:hbz:466:2-15749 
Files
Herstellung optischer SiON-Komponenten für Laserstrukturen auf Silizium [16.11 mb]
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Reference
Classification
Abstract (German)

Integrierte Wellenleiterstrukturen sind elementare Bestandteile der Optik. Sie bilden zusammen mit Mikroresonatoren die Basis für eine Vielzahl von möglichen Anwendungen. Dabei lassen sich die Strukturen aus verschiedenen Materialsystemen herstellen. Materialien basierend auf Silizium haben den Vorteil, dass für die Herstellung keine aufwendigen und kostenintensive Prozesse eingeführt werden müssen. Es kann auf die bereits existierende Technologie der Halbleiterfertigungsprozesse zurückgegriffen werden. Eine der viel versprechenden Materialien der Silizium-Technologie ist Siliziumoxinitrid. Zusammen mit Siliziumdioxid bildet Siliziumoxinitrid ein Schichtsystem, das über einen ausreichend hohen Brechungsindexunterschied verfügt, um integrierte Strukturen wie Koppler, Wellenleiter oder Resonatoren zu realisieren. Inhalt dieser Arbeit ist es, ein Konzept zu demonstrieren, wie mit dem Materialsystem aus Siliziumdioxid und Siliziumoxinitrid ein kompaktes Lasersystem auf einem Silizium-Chip entwickelt werden kann.

Abstract (English)

Integrated waveguide structures are a fundamental part of optics. Together with microcavities, they build the foundation for a wide variety of possible applications. The structures can be fabricated from different material systems. Silicon based materials are advantageous, as they avoid establishing complex or expansive processes. Thus, the existing semiconductor manufacturing process can be used. One of the most promising materials of silicon technology is siliconoxynitride. Together with siliconoxide, siliconoxynitride forms a system of layers, which has a refractive index difference high enough to realize structures such as couplers, waveguides or microcavities. This work demonstrates a way to develop a compact lasersystem on one siliconchip made of siliconoxide and siliconoxynitride.