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The dangling-bond defect in silicon
Insights into electronic and structural effects from first-principles calculations of the EPR-parameters2012Limitierungen der p-Dotierbarkeit von Galliumnitrid
eine Defektstudie von GaN:Mg auf Basis der Dichtefunktionaltheorie2012Die Wirksamkeit von piko-OWL als Lehrerfortbildung
eine Evaluation zum Projekt "Physik im Kontext" in Fallstudien2012Application of magnetic multiple resonance techniques to the study of point defects in solids
In: Electronic Magnetic Resonance of the Solid State (CSC symposium series : 1 ), Jg. 1987, S. 503-519Application of magnetic multiple resonances to study defects in III-V compounds
In: Crystal Latice Defects and Amorphous Materials, Jg. 1989, S. 281-295Application of magnetic resonance techniques to the study of defects in solids
In: Determination of structural features of crystalline and amorphous solids (Physical methods of chemistry : 5), Jg. 1990, S. 433-516Application of modern magnetic resonance techniques to the characterization of point defects in semi-insulating III-V semiconductors
In: Semi-insulating III - V Materials: Hakone 1986, Jg. 1986, S. 299-304Application of optically detected magnetic resonance to the characterization of point defects in semiconductors
In: International Conference on Defects in Semiconductors : Proceedings of the International Conference on Defects in Semiconductors. (Materials Science Forum 10-12), Jg. 1986, S. 505-514Atomic hydrogen and muonium in alkali halides
In: Proc. of the MuSR Conf., Uppsala, Sweden, Jg. 32.1986, S. 641-658Atomic hydrogen as a model defect in alkali halides
In: Defects in insulating crystals, Jg. 1981, S. 232-252Atomic hydrogen centres in ionic crystals
In: Journal de Physique, Colloques, Jg. 1973 H. C9, S. 265-271Calculations of dislocation pipe diffusion
In: Journal de Physique, Colloques, Jg. 1979 H. 40, S. C6-181