Veröffentlichungen der Universität / Physik [41-60]

Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide
a theoretical investigation
Rauls, Eva
2003
Berücksichtigung von Spinpolarisationseffekten in einem dichtefunktionalbasierten Ansatz
Köhler, Christof
2003
Development and investigation of II-VI semiconductor microcavity structures
Pawlis, Alexander
2003
Dynamik der plastischen Deformation von Kristallen
Aufbau einer Feldtheorie im Lagrangeformalismus unter Berücksichtigung der dissipativen Dynamik von Versetzungsklassen
Schargott, Martin
2003
Hochdruck-Röntgenpulverdiffraktometrie an Cer und Cer-Lanthanid-Legierungen zur Bestimmung von Zustandsgleichungen und Phasenumwandlungen
Schiwek, Andreas
2003
Integrated optical distributed Bragg reflector and distributed feedback lasers in Er:LiNbO3 waveguides with photorefractive gratings
Das, Bijoy Krishna
2003
A new X-ray diffractometer for the online monitoring of epitaxial processes
Kharchenko, Alexander
2003
Einfluß von Gitterverzerrungen auf Anregungsenergien und Hyperfeinparameter paramagnetischer Defekte
Gerstmann, Uwe
2002
The modelling of dislocations in semiconductor crystals
Blumenau, Alexander Thorsten
2002
Optically detected magnetic resonance of arsenic antisite related defects in semi-insulating bulk and low temperature MBE-grown GaAs
Tkach, Igor
2002
The superconductor as model for the hardening stages in a dislocated crystal
Marqués-López, José-Luis
2002
The atomic structure of diamond surfaces and interfaces
Sternberg, Michael
Version: 14. Nov. 2001, 2001
Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
Langhanki, Bertram
2001
Entwicklung approximativer Methoden in der zeitabhängigen Dichtefunktionaltheorie
Niehaus, Thomas
2001
Quasi-phasenangepaßte Frequenzkonversion mit periodisch gepolten Ti:LiNbO 3-Wellenleitern
Schreiber, Gerhard
2001
Strahlendefekte in Siliziumkarbid
Untersuchungen mit optisch detektierter Elektronen-paramagnetischer Resonanz
Lingner, Thomas
2001
Energiedispersive Röntgenbeugungsuntersuchungen an einigen Laves-Phasen unter hohem Druck
Reiß, Gerhard
2000
EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide
Grasa Molina, María Isabel
2000
Flache Donatoren in Galliumnitrid
optisch detektierte, paramagnetische Resonanz unter hohem Druck
Michael, Karsten
2000
Hochauflösende Röntgenabsorptionsspektroskopie an vierwertigen Seltene-Erdsystemen
Dumschat, Jens
2000
Gehe zu Seiten

Publizieren

Besondere Sammlungen

Digitalisierungsservice

Hilfe

Impressum

Datenschutz

Annealing mechanisms of point defects in silicon carbide

Berücksichtigung von Spinpolarisationseffekten in einem dichtefunktionalbasierten Ansatz

Development and investigation of II-VI semiconductor microcavity structures

Dynamik der plastischen Deformation von Kristallen

Hochdruck-Röntgenpulverdiffraktometrie an Cer und Cer-Lanthanid-Legierungen zur Bestimmung von Zustandsgleichungen und Phasenumwandlungen

Integrated optical distributed Bragg reflector and distributed feedback lasers in Er:LiNbO3 waveguides with photorefractive gratings

A new X-ray diffractometer for the online monitoring of epitaxial processes

Einfluß von Gitterverzerrungen auf Anregungsenergien und Hyperfeinparameter paramagnetischer Defekte

The modelling of dislocations in semiconductor crystals

Optically detected magnetic resonance of arsenic antisite related defects in semi-insulating bulk and low temperature MBE-grown GaAs

The superconductor as model for the hardening stages in a dislocated crystal

The atomic structure of diamond surfaces and interfaces

Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon

Entwicklung approximativer Methoden in der zeitabhängigen Dichtefunktionaltheorie

Quasi-phasenangepaßte Frequenzkonversion mit periodisch gepolten Ti:LiNbO 3-Wellenleitern

Strahlendefekte in Siliziumkarbid

Energiedispersive Röntgenbeugungsuntersuchungen an einigen Laves-Phasen unter hohem Druck

EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide

Flache Donatoren in Galliumnitrid

Hochauflösende Röntgenabsorptionsspektroskopie an vierwertigen Seltene-Erdsystemen